一种高耐压碳化硅光导开关
- 申请号：CN200710045225.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101132030
- 公开(公开)日：2008.02.27
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种高耐压碳化硅光导开关 | ||
| 申请号 | CN200710045225.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101132030 | 公开（授权）日 | 2008.02.27 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 |
| 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种高耐压碳化硅光导开关 至一种高耐压碳化硅光导开关 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种高耐压碳化硅光导开关，属于半导体器件制备 技术领域。光导开关采用相对面型设计，在经处理后的碳化硅抛光片 的两面制作欧姆接触，形成两个电极。这种相对面型碳化硅光导开关 可以成倍地提高开关的耐压能力，使光导开关的体积得以缩小，为光 导开关的集成化创造条件，可用于半导体器件领域。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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