一种离子敏场效应传感器专用高精度放大器电路
- 申请号:CN200610112551.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号:CN101131375
- 公开(公开)日:2008.02.27
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种离子敏场效应传感器专用高精度放大器电路 | ||
| 申请号 | CN200610112551.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN101131375 | 公开(授权)日 | 2008.02.27 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明(设计)人 | 杨海钢;魏金宝 |
| 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/414(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种离子敏场效应传感器专用高精度放大器电路 至一种离子敏场效应传感器专用高精度放大器电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种离子敏场效应传感器专用高精度放大器电路,包 括:主放大器,用于连续放大传感器敏感栅输入的敏感信号,输出最终的 放大处理结果;辅助放大器,用于在时钟的控制下交替接收传感器敏感栅 输入的敏感信号,对接收的敏感信号进行放大处理得到放大处理结果,并 在时钟的控制下与主放大器的输入端交替连接,将得到的放大处理结果输 出给主放大器;时钟,用于控制辅助放大器与传感器敏感栅交替连接,使 辅助放大器交替接收传感器敏感栅输入的敏感信号,并控制辅助放大器与 主放大器的输入端交替连接,将辅助放大器的放大处理结果输出给主放大 器。利用本发明,提高了放大器电路的测量精度并抑制了温漂,实现了痕 量检测。 | ||
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