
一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法
- 申请号:CN200710045967.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN101127308
- 公开(公开)日:2008.02.20
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法 | ||
申请号 | CN200710045967.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101127308 | 公开(授权)日 | 2008.02.20 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 高相东;李效民;于伟东 |
主分类号 | H01L21/368(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/368(2006.01)I |
专利有效期 | 一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法 至一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法,其特点 是将超声辐照技术与连续离子层吸附与反应方法相结合,薄膜沉积过 程由若干个循环组成,每个循环包含四步:(1)阳离子前驱体溶液的 吸附;(2)衬底超声辐照;(3)阴离子前驱体溶液的反应与吸附;(4) 衬底超声辐照。阳离子前驱体采用金属锌的无机盐或有机醋酸盐与络 合剂配制而成,络合剂可选择乙二胺或氨水等;阴离子前驱体采用无 机硫化物如硫化钠;衬底为普通玻璃、石英玻璃、ITO导电玻璃、单 晶硅、蓝宝石或其他材料。本发明的特点是:所得ZnS膜层致密的 ZnS纳米粒子构成,粒子尺寸小至10-30nm;制作方法简单,成本低 廉,无须加热或使用昂贵的真空设备,适合于规模化生产。 |
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