专利详情

专利名称	微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法
申请号	CN201110453265.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102509732A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	饶峰;夏梦姣;宋志棠;陈邦明
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法至微控制器用低功耗嵌入式相变存储器及其相变存储材料与制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种微控制器用嵌入式相变存储器及其制备方法与其NVM存储材料的制备方法。所述微控制器用嵌入式相变存储器包括动态随机存取存储单元和非易失性存储单元，所述动态随机存取存储单元和非易失性存储单元同时位于同一基片上。本发明针对COMS的单靶溅射工艺，利用向低数据保持力的DRAM用相变材料中注入Si离子，获得低操作功能高数据保持力的NVM用富Si相变材料，实现了将应用于DRAM和NVM的两种不同相变存储器的相变材料制备在同一基片。既得到了性能良好的SiSbTe或SiGeSbTe相变材料，又减少了光刻版的使用数量，大大简化了工艺步骤从而降低了技术难度和产品成本。