专利详情

专利名称	一种多读单写片内存储器
申请号	CN201210015346.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102610269A	公开（授权）日	2012.07.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	妙维;吴南健
主分类号	G11C7/22(2006.01)I	IPC主分类号	G11C7/22(2006.01)I;G11C8/00(2006.01)I
专利有效期	一种多读单写片内存储器至一种多读单写片内存储器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种多读单写片内存储器，包括一个写地址译码器、d(d＞1)个门控时钟逻辑电路、第一级d个主锁存器、n个d输入级间传输电路、第二级n个从锁存器、读数据输出通路、以及一个读地址译码及相同地址判断模块，其中，如果所述第一级d个主锁存器为负锁存器，则所述第二级n个从锁存器为正锁存器；如果所述第一级d个主锁存器为正锁存器，则所述第二级n个从锁存器为负锁存器。利用本发明，实现了接近锁存器的存储单元面积，同时保持寄存器文件的读写特点，即任一读端口可以和写端口在同一个时钟周期内访问同一个存储单元。