专利详情

专利名称	一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法
申请号	CN200610112107.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101123274	公开（授权）日	2008.02.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	龙世兵;陈杰智;刘明;陈宝钦
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法至一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源和漏的两个隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积的顶栅栅电极。本发明同时公开了一种 SOI基顶栅单电子晶体管的制备方法。利用本发明，大大提高了单电子晶体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制备工艺、降低了制备成本，并提高了制备效率。