专利详情

专利名称	采用改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法
申请号	CN201110302416.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102503430A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	罗朝华;江东亮;张景贤;林庆玲;陈忠明;黄政仁
主分类号	C04B35/565(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	采用改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法至采用改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明一种改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法，涉及将由流延膜脱粘后的多孔素坯中真空浸渍酚醛树脂溶液，干燥、碳化后再经反应渗硅得到致密的反应烧结碳化硅陶瓷。本发明包含如下步骤：先用流延成型的方法制备得到多孔的含碳素坯；再将多孔素坯，真空浸渍到酚醛树脂溶液中，浸渍完全后将素坯干燥、碳化，最后将碳化后的素坯在真空炉中反应渗硅，得到致密的反应烧结碳化硅陶瓷。本发明以流延成型工艺用于反应烧结碳化硅素坯的制备为基础，对该工艺中存在的游离硅含量高的不足进行改进，不仅保持了流延工艺可叠层设计的优点，而且有效地降低了反应烧结陶瓷中残留Si的含量以及显著提高烧结体的抗弯强度。