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一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法

  • 申请号:CN201110033809.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院过程工程研究所
  • 公开(公开)号:CN102616854A
  • 公开(公开)日:2012.08.01
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法
申请号 CN201110033809.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102616854A 公开(授权)日 2012.08.01
申请(专利权)人 中国科学院过程工程研究所 发明(设计)人 肖清贵;陈寅;徐红彬;张懿
主分类号 C01G39/06(2006.01)I IPC主分类号 C01G39/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期 一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法 至一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法。本发明的单分散球形MoS2超细粉体的制备方法包括以下步骤:1)将浓度为0.01~0.05mol/L的四硫代钼酸铵溶液加入反应器,滴加酸液,其中四硫代钼酸铵和酸的摩尔比为1∶0.8~1.5,搅拌、反应、熟化,然后分离固液两相,清洗固体,得到单分散MoS3颗粒;2)将步骤1)中得到的MoS3颗粒在惰性气体的保护下,加热,再通入还原气体反应,冷却得到单分散球形MoS2超细粉体。本发明以(NH4)2MoS4和酸溶液为原料,采用液相沉淀-氢还原法,实现了单分散球形MoS2超细粉体材料的制备,生产条件温和,设备要求简单,工艺流程短,原料利用率高,能耗低,生产过程中不引入其他杂质,产品质量好,纯度高。

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