
一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法
- 申请号:CN201110033809.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院过程工程研究所
- 公开(公开)号:CN102616854A
- 公开(公开)日:2012.08.01
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法 | ||
申请号 | CN201110033809.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102616854A | 公开(授权)日 | 2012.08.01 |
申请(专利权)人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明(设计)人 | 肖清贵;陈寅;徐红彬;张懿 |
主分类号 | C01G39/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G39/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
专利有效期 | 一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法 至一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法。本发明的单分散球形MoS2超细粉体的制备方法包括以下步骤:1)将浓度为0.01~0.05mol/L的四硫代钼酸铵溶液加入反应器,滴加酸液,其中四硫代钼酸铵和酸的摩尔比为1∶0.8~1.5,搅拌、反应、熟化,然后分离固液两相,清洗固体,得到单分散MoS3颗粒;2)将步骤1)中得到的MoS3颗粒在惰性气体的保护下,加热,再通入还原气体反应,冷却得到单分散球形MoS2超细粉体。本发明以(NH4)2MoS4和酸溶液为原料,采用液相沉淀-氢还原法,实现了单分散球形MoS2超细粉体材料的制备,生产条件温和,设备要求简单,工艺流程短,原料利用率高,能耗低,生产过程中不引入其他杂质,产品质量好,纯度高。 |
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