专利详情

专利名称	阻变型随机存储单元及存储器
申请号	CN201110026944.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102610749A	公开（授权）日	2012.07.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍宗亮;刘明;张满红;王艳花;龙世兵
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	阻变型随机存储单元及存储器至阻变型随机存储单元及存储器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种阻变型随机存储单元及存储器。该存储单元由上电极、阻变功能层、中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成，其中上电极、阻变功能层和中间电极构成阻变存储部分，中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成选通功能部分，阻变存储部分和选通功能部分共用中间电极，选通功能部分可以位于阻变存储部分的上方或下方；非对称隧穿势垒层由至少两种势垒高度存在差异的材料构成，以实现对穿过阻变型随机存储单元的正、反向隧穿电流的整流调制。本发明引入非对称隧穿势垒层用于整流，从而实现电阻单元的选通操作。同时，由于非对称隧穿势垒层不用掺杂，不用高温退火，并且厚度较薄，因此有利于实现阻变型随机存储器进行三维高密度集成。