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稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法

  • 申请号:CN201210114614.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN102605425A
  • 公开(公开)日:2012.07.25
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法
申请号 CN201210114614.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102605425A 公开(授权)日 2012.07.25
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 王庆国;徐军;苏良碧;郑丽和;李红军;徐晓东
主分类号 C30B29/12(2006.01)I IPC主分类号 C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期 稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 至稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法,其化学式为RE3+:PbClF,其中稀土离子RE3+选自Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Pr3+、Ce3+和Er3+中的至少一种。本发明提供的稀土掺杂的具有无序阴离子配位、低对称性的氟氯化物激光晶体。

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