
稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法
- 申请号:CN201210114614.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN102605425A
- 公开(公开)日:2012.07.25
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 | ||
申请号 | CN201210114614.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102605425A | 公开(授权)日 | 2012.07.25 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 王庆国;徐军;苏良碧;郑丽和;李红军;徐晓东 |
主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
专利有效期 | 稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 至稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法,其化学式为RE3+:PbClF,其中稀土离子RE3+选自Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Pr3+、Ce3+和Er3+中的至少一种。本发明提供的稀土掺杂的具有无序阴离子配位、低对称性的氟氯化物激光晶体。 |
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