专利详情

专利名称	一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法
申请号	CN201110355312.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102508079A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	仇光寅;魏彦锋;陈倩男;孙权志;孙瑞赟
主分类号	G01R31/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/00(2006.01)I
专利有效期	一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法至一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。