
一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法
- 申请号:CN200710045148.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN101118886
- 公开(公开)日:2008.02.06
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法 | ||
申请号 | CN200710045148.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101118886 | 公开(授权)日 | 2008.02.06 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 朱建妹 |
主分类号 | H01L23/485(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
专利有效期 | 一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法 至一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种用于红外焦平面阵列探测器的复合铟柱及制备方法,该 复合铟柱的特征是:外层由黄金包覆,内填满铟构成。复合铟柱制备的特征 是首先在光刻孔内壁形成厚度为500 ~700 黄金层,然后再真空蒸发淀积 铟,部分铟自然填入由黄金层为内壁的孔内,由于填充的是热铟源,对黄金壁 产生合金作用,从而形成由黄金层包覆,内填满铟构成的复合铟柱。本发明的 最大优点是:制备出来的铟柱表面光滑,铟柱直径可达到10-12微米,中心距 为6-10微米,铟柱高度控制在10-12微米。 |
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