专利详情

专利名称	一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法
申请号	CN201110369135.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102500589A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	龚先祖;吴金华;赵燕平;胡建生;李建刚
主分类号	B08B9/08(2006.01)I	IPC主分类号	B08B9/08(2006.01)I
专利有效期	一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法至一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法。实现步骤为：(1)在磁约束聚变装置真空室中预先充入0.1-10Pa的气体；(2)在磁约束聚变装置真空室中布置高频天线，然后以磁约束聚变装置真空室为负极，伸入在磁约束聚变装置真空室中的高频天线为正级，在负极和正极之间施加电压为3-5KV、频率为20-50KHz、功率为2-10KW的高频场；(3)在高频场的电离下，气体被击穿并产生稳定的高频等离子体放电，将对磁约束聚变装置真空室第一壁进行有效的轰击，在经过1-10小时的放电清洗后，达到对第一壁的清洗。本发明能提高清洗效率1倍。