专利详情

专利名称	一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法
申请号	CN201210104177.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102623637A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张玉;李洁;陈莺飞;王宁;邓辉;吴玉林;赵璐;郑国林;崔丽敏;郭乃理;蒋凤英;金贻荣;田海燕;郑东宁
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法至一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种导电通道可控性形成的阻变式存储器的制备方法包括以下步骤：1）制备氧化物薄膜，在基片上沉积设定厚度的氧化物薄膜；2）对氧化物薄膜进行离子辐照：入射的离子束沿垂直方向穿透所述氧化物薄膜到达所述基片中，并在氧化物薄膜中形成若干条导电通道；3）制备顶电极：在经过所述离子辐照后的氧化物薄膜的上表面上制备顶电极。本发明还包括通过上述方法制成的阻变式存储器。