专利详情

专利名称	一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法
申请号	CN200710044534.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101114666	公开（授权）日	2008.01.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;吴良才;刘卫丽;刘波;封松林
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法至一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法。该相变存储器的外围电路制作在抗辐照加固的衬底上。存储单元由一个可逆相变电阻和一个pn结二极管构成，形成1D1R结构。利用SiO₂等介质材料把 1D1R封装起来，加上1D1R器件单元小以及射线、粒子可作用的几率小等优点，从而实现了抗辐照的1D1R存储单元。存储单元通过上下电极散热，通过相变材料与电极材料之间热阻层的厚度调节热量平衡点。由抗辐照的 1D1R存储单元构成存储阵列，加上SOI衬底上的外围电路，从而形成抗辐照的相变存储器。