
用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟
- 申请号:CN200710045151.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN101109105
- 公开(公开)日:2008.01.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟 | ||
申请号 | CN200710045151.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101109105 | 公开(授权)日 | 2008.01.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 魏彦锋;徐庆庆;杨建荣;陈新强 |
主分类号 | C30B19/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B19/06(2006.01)I;C30B29/48(2006.01)I |
专利有效期 | 用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟 至用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟,该石 墨舟的特征是将原置于母液槽的前方或后方的汞源槽改为置于母液槽的正上 方,两槽之间有通道相通,汞源槽产生的汞蒸气通过通道从母液槽的顶面向母 液补充汞,使得汞源槽产生的汞蒸气对母液的补充更为均匀,从而母液上方的 压力更为均匀,同时母液槽前后方的结构相似,促使母液槽周围的温场更为均 匀。本发明的优点是:可以最大程度上消除压力和温场的不均匀,减缓母液对 流,从而降低外延材料表面的波纹。 |
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