专利详情

专利名称	相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法
申请号	CN200710043924.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101101961	公开（授权）日	2008.01.09
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘波;宋志棠;封松林;陈宝明
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法至相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及相变存储器器件单元的结构及其制备方法，其主要特征在于采用与加热电极和上电极相连的环形相变材料作为存储信息的载体。通过采用合适的薄膜制备技术和纳米加工技术，制备出环形相变材料，通过上下电极引出，并与开关和外围电路集成，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于环形相变材料的壁厚可以控制在很小的纳米尺度范围，相变材料的截面积可以很小，大大增加电流密度，提高相变材料有效相变区域的热效率，降低相变存储器器件单元的操作电流，减小功耗。