专利详情

专利名称	辐射温度场加速腐蚀的研抛装置
申请号	CN201220407154.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202825476U	公开（授权）日	2013.03.27
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	马臻;许亮;丁蛟腾;陈钦芳
主分类号	B24B13/00(2006.01)I	IPC主分类号	B24B13/00(2006.01)I;B24B13/005(2006.01)I
专利有效期	辐射温度场加速腐蚀的研抛装置至辐射温度场加速腐蚀的研抛装置	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型提供一种辐射温度场加速腐蚀的研抛装置，主要解决了现有光学元件，尤其是非球面光学元件加工时成本较高，加工效率较低的问题。该辐射温度场加速腐蚀的研抛装置，包括用于承载被加工元件的承载机构和腐蚀液储液槽，承载机构使被加工元件全部浸泡在腐蚀液储液槽内；配置有透明磨具，与被加工工件机械接触；温度场生成设备与控制机构连接；所述承载机构和腐蚀液储液槽均固定设置于旋转轴上。本实用新型可实现非球面光学元件的快速抛光，适合与大口径光学元件的研磨抛光，成本低廉。