激光诱导空气隙发光二极管的制作方法
- 申请号：CN201210548464.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN102969413A
- 公开(公开)日：2013.03.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法 | ||
| 申请号 | CN201210548464.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102969413A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 谢海忠;张逸韵;鲁志远;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 |
| 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 专利有效期 | 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法 至激光诱导空气隙发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。 | ||
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