专利详情

专利名称	一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法
申请号	CN201210514737.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102963862A	公开（授权）日	2013.03.13
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	俞骁;李铁;王跃林
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法至一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法，先于（111）晶面型硅片上制作抗氧化掩膜并形成掩膜窗口；采用ICP刻蚀法，将单晶硅刻蚀至一预设深度；对各该掩膜窗口下方的单晶硅进行各向异性湿法腐蚀，形成上下表面为六边形的多个腐蚀槽，相邻两腐蚀槽的侧壁间形成单晶硅薄壁；利用自限制氧化工艺进行热氧化，于所述单晶硅薄壁顶部中央区域形成单晶硅纳米线；去除抗氧化掩膜及氧化硅，形成单晶硅纳米线网状阵列结构。本发明工艺简单高效，核心步骤仅涉及常规光刻、腐蚀工艺，抗氧化掩膜和各向异性腐蚀，在常规的掩膜版制备条件和光刻条件下，利用（111）晶面型硅片内的晶面分布特点，可在硅片上制作大规模的单晶硅纳米线组合图形。