专利详情

专利名称	一种金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法
申请号	CN201010145261.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102214563A	公开（授权）日	2011.10.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐秋霞;李永亮
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法至一种金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种高金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法：1)在硅衬底上生成一层SiON和SiO2界面层；2)在界面层上沉积高K栅介质膜；3)对高K介质膜进行快速热退火；4)在高K介质上沉积TaN金属栅电极膜；5)在TaN金属栅极上沉积多晶硅栅层，然后沉积硬掩膜层；6)光刻形成胶膜图形，通过反应离子刻蚀对硬掩膜介质层进行各向异性刻蚀，将胶膜图形转移到硬掩膜层；7)去胶，以硬掩膜为掩蔽层，采用Cl2/HBr混合气体反应离子刻蚀多晶硅栅；8)以硬掩膜为掩蔽层，通过BCl3基刻蚀气体刻蚀对TaN金属栅/高K栅介质叠层进行各向异性和高选择比刻蚀。