专利详情

专利名称	一种基于电镀铜衬底制备大面积石墨烯薄膜的方法
申请号	CN201110092763.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102212794A	公开（授权）日	2011.10.12
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李铁;王文荣;周玉修;王跃林
主分类号	C23C16/26(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/26(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C25D3/00(2006.01)I
专利有效期	一种基于电镀铜衬底制备大面积石墨烯薄膜的方法至一种基于电镀铜衬底制备大面积石墨烯薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石墨烯。该方法的特征在于可以直接制备图形化的石墨烯薄膜，并且衬底可以与IC工艺兼容，制作方法简单，成本低，能够大规模制造。