专利详情

专利名称	深紫外激光光致发光光谱仪
申请号	CN201110087894.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102213617A	公开（授权）日	2011.10.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	金鹏;王占国
主分类号	G01J3/443(2006.01)I	IPC主分类号	G01J3/443(2006.01)I;G01N21/64(2006.01)I
专利有效期	深紫外激光光致发光光谱仪至深紫外激光光致发光光谱仪	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种深紫外激光光致发光光谱仪，包括：一全固态深紫外激光器；一真空样品室与全固态深紫外激光器连接；一真空单色仪与真空样品室连接；一第一真空维持系统与真空样品室连接；一第二真空维持系统与真空单色仪连接；一低温系统和控温装置与真空样品室通过法兰连接；一样品架三维调整装置与真空样品室连接；一稳态发射谱探测系统与真空单色仪连接；一时间分辨光谱探测系统与真空单色仪连接；一真空泄漏安全系统的第一、第二控制端与第一真空维持系统连接，第三、第四控制端与第二真空维持系统连接，第五控制端与低温系统和控温装置连接；一计算机控制装置用于控制真空泄漏安全系统、真空单色仪、低温系统和控温装置、样品架三维调整装置、稳态发射谱探测系统和时间分辨光谱探测系统。