专利详情

专利名称	一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法
申请号	CN201110155042.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102214492A	公开（授权）日	2011.10.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明
主分类号	G21K1/06(2006.01)I	IPC主分类号	G21K1/06(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法至一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法，该方法包括：制作基片；在基片上涂光刻胶，用不同剂量的电子束对该光刻胶进行光刻，形成中心具有圆柱的凸面的光刻胶图形；在形成的光刻胶图形上电镀金层；从基片的背面进行刻蚀，直至穿透基片；以及去胶形成凹面型X射线聚焦小孔。本发明提供的制作凹面型X射线聚焦小孔的方法，是一种工艺简单、制造成本低、生产效率高，并能提供更高的均一性的HSQ工艺的方法，能够完成具有凹面的聚焦小孔制作。