专利详情

专利名称	一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法
申请号	CN200610083996.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101089545	公开（授权）日	2007.12.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王琴;王丛舜;龙世兵;刘明;叶甜春
主分类号	G01B7/02(2006.01)	IPC主分类号	G01B7/02(2006.01);G01N13/10(2006.01)
专利有效期	一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法至一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及量子信息技术领域，特别是一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法。在SOI衬底上制作双端固支梁和单电子晶体管，利用纳米尺度的双端固支梁作为敏感元件，再用射频单电子晶体管作为传感元件，形成快速超灵敏位移传感器。充分利用射频单电子晶体管的高灵敏度的特性(电荷灵敏度可达10^－5eHz^－1/2)，形成快速超灵敏位移传感器。这种基于SOI衬底材料的快速超灵敏位移传感器具有极高的位移灵敏度，可达10^－5nm，同时也具有很高的工作频率，可达几百MHz。这种快速超灵敏位移传感器可为量子测量提供一种有效的解决方法，可为量子信息技术的发展作出贡献。