
化学激励燃烧合成氮化硅/碳化硅复合粉体的方法
- 申请号:CN200610012251.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
- 公开(公开)号:CN101088962
- 公开(公开)日:2007.12.19
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 化学激励燃烧合成氮化硅/碳化硅复合粉体的方法 | ||
申请号 | CN200610012251.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101088962 | 公开(授权)日 | 2007.12.19 |
申请(专利权)人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明(设计)人 | 杨筠;杨坤;林志明;李江涛 |
主分类号 | C04B35/626(2006.01) | IPC主分类号 | C04B35/626(2006.01);C04B35/584(2006.01);C04B35/565(2006.01) |
专利有效期 | 化学激励燃烧合成氮化硅/碳化硅复合粉体的方法 至化学激励燃烧合成氮化硅/碳化硅复合粉体的方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明属于无机非金属材料领域,特别涉及一种化学激励燃烧合成Si3N4/SiC复合粉体的方法。以重量份计,将硅粉:40~70份,炭黑:20~50份,化学激励剂:0.5~20份进行混合,得到一混合物;对该混合物进行研磨活化处理后,以0.3~1.0g/cm3的松装密度装入高压反应釜中,抽真空后,充入氮气或氩气,使压力控制在1~3MPa,然后诱发混合物进行自蔓延燃烧合成反应;分别制备Si3N4/SiC复合粉体或主相为SiC的粉体。本发明的方法具有工序简便,生产周期短,动力消耗小,成本低的优点。 |
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