
一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法
- 申请号:CN201010145284.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102214555A
- 公开(公开)日:2011.10.12
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 | ||
申请号 | CN201010145284.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102214555A | 公开(授权)日 | 2011.10.12 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 |
主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I |
专利有效期 | 一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 至一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法,包括:步骤1:对在正面制作电路的蓝宝石晶片进行清洗;步骤2:在蓝宝石晶片正面均匀涂覆光刻胶;步骤3:将蓝宝石晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上;步骤4:将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上,对蓝宝石晶片背面进行减薄;步骤5:对蓝宝石晶片背面进行粗糙研磨;步骤6:对蓝宝石晶片背面进行中度研磨;步骤7:对蓝宝石晶片背面进行低度研磨;步骤8:对蓝宝石晶片背面进行精细研磨;步骤9:对蓝宝石晶片背面进行抛光;步骤10:对蓝宝石晶片进行清洗。利用本发明,达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后蓝宝石衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。 |
交易流程
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专利 -
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