专利详情

专利名称	SOI H型栅MOS器件的建模方法
申请号	CN201210536882.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102982215A	公开（授权）日	2013.03.20
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	SOI H型栅MOS器件的建模方法至SOI H型栅MOS器件的建模方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种SOI?MOS器件的建模方法，其中该SOI?MOS器件为H型栅的SOI?MOS器件，该方法包括：a）建立包含模拟条形栅的SOI?MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟延伸源体PN结侧面电容的源体PN结侧面电容模型和模拟延伸漏体PN结侧面电容的延伸漏体PN结侧面电容模型的总体模型；b）对总体模型中的初级MOS器件模型和延伸源体PN结侧面电容模型和延伸漏体PN结侧面电容模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑了H型栅SOI?MOS器件中延伸源体结侧面电容以及延伸漏体结侧面电容对于器件性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对器件的仿真设计。