专利详情

专利名称	一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法
申请号	CN201210461758.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102981271A	公开（授权）日	2013.03.20
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	庄须叶;邱传凯;姚军;汪为民;王强;张铁军;罗吉;张建飞;熊伟
主分类号	G02B26/08(2006.01)I	IPC主分类号	G02B26/08(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法至一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，基于硅表面加工工艺、电镀工艺、湿法腐蚀和化学抛光工艺，通过在硅基底上增加形成腔，并利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，利用电镀工艺制作变形镜的结构，采用化学抛光的方法研磨固化的光刻胶和电镀层，可制作出性能优异的大行程的MEMS变形镜。通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。