一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法
- 申请号：CN200610012052.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101083302
- 公开(公开)日：2007.12.05
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法 | ||
| 申请号 | CN200610012052.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101083302 | 公开（授权）日 | 2007.12.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 商立伟;涂德钰;王丛舜;刘明 |
| 主分类号 | H01L51/40(2006.01) | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01) |
| 专利有效期 | 一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法 至一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明属于有机半导体学中的微细加工领域，特别涉及一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法。其步骤如下：1.在导电基底上制备绝缘介质层；2.在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜；3.利用模板压印有机薄膜，把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上；4.沉积生长第二层同质有机物薄膜；5.通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极，完成各向异性有机场效应管的制备。 | ||
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