专利详情

专利名称	一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法
申请号	CN200610012051.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101083301	公开（授权）日	2007.12.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	商立伟;涂德钰;王丛舜;刘明
主分类号	H01L51/40(2006.01)	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)
专利有效期	一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法至一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明属于微电子学与分子电子学中的微细加工领域，特别是一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法。其步骤如下：1.在基片表面上淀积绝缘层薄膜；2.在绝缘层薄膜表面上旋涂电子束抗蚀剂，电子束曝光、显影得到下电极图形；3.蒸发制备下电极金属；4.金属剥离得到交叉线下电极；5.在下电极上覆盖生长有机分子薄膜；6.在有机分子薄膜上蒸发制备金属保护层；7.在保护层上面旋涂双层光刻胶，电子束曝光、显影得到上电极图形；8.斜向蒸发制备上电极金属薄膜；9.金属剥离得到交叉线上电极；10.干法刻蚀保护层，完成交叉线有机分子器件的制备。