专利详情

专利名称	一种制作电阻随机存储单元阵列的方法
申请号	CN200710100014.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101079395	公开（授权）日	2007.11.28
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	王振中;赵宏武;陈东敏
主分类号	H01L21/82(2006.01)	IPC主分类号	H01L21/82(2006.01)
专利有效期	一种制作电阻随机存储单元阵列的方法至一种制作电阻随机存储单元阵列的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制作电阻随机存储单元阵列的方法，该方法具体为：在缺氧的条件下对制备出的PCMO薄膜进行退火处理，原位溅射金属薄膜保护层，在样品表面利用紫外光刻得到底电极总线图形，用氩离子刻蚀顶层金属薄膜保护层，用氧化性蚀刻溶液刻蚀PCMO薄膜，用氩离子刻蚀底层电极金属层，刻出底电极总线，用有机溶剂除去光刻胶，再次涂光刻胶套刻出存储单元图形，并刻出存储单元，沉积绝缘材料，用有机溶液去除光刻胶，再次在原有图形的基础上套刻出顶电极总线图形，溅射顶电极金属薄膜，去除光刻胶，形成顶电极总线。本方法包括溅射金属保护层、制作上下电极总线、选择合适的刻蚀溶液湿法刻蚀存储单元等。该方法可制作PCMO微结构的存储单元阵列。