专利详情

专利名称	快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路
申请号	CN200610080985.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101078707	公开（授权）日	2007.11.28
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	杨海钢;李策
主分类号	G01N27/403(2006.01)	IPC主分类号	G01N27/403(2006.01);G01N27/27(2006.01);G01N33/48(2006.01)
专利有效期	快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路至快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种快速稳定的互补金属氧化物半导体(CMOS)恒电位仪电路，涉及生化传感器技术，包括运算放大器、偏置电源、两个微电极和NMOS管，一个单刀双掷开关、一个稳压电容以及一个控制开关状态的数字逻辑电路，其中，偏置电源的正端和传感器的一个微电极分别接运算放大器的正、反向输入端，偏置电源的负端和另外一个微电极共同接地电平；NMOS管的栅极接运算放大器的输出端，源极接运算放大器的反向输入端，漏极作为恒电位仪的输出端；稳压电容一端接地电平，另一端接单刀双掷开关；单刀双掷开关的两个状态分别接到了运算放大器的正、反向输入端，数字逻辑电路负责控制开关的打向。本发明使恒电位仪输出端点输出一个更接近理想的恒流源。