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一种化学修饰碳糊铋膜电极的制备方法

  • 申请号:CN200710055795.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
  • 公开(公开)号:CN101074941
  • 公开(公开)日:2007.11.21
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种化学修饰碳糊铋膜电极的制备方法
申请号 CN200710055795.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101074941 公开(授权)日 2007.11.21
申请(专利权)人 中国科学院长春应用化学研究所 发明(设计)人 郏建波;曹林园;汪振辉
主分类号 G01N27/30(2006.01) IPC主分类号 G01N27/30(2006.01)
专利有效期 一种化学修饰碳糊铋膜电极的制备方法 至一种化学修饰碳糊铋膜电极的制备方法 法律状态 授权
说明书摘要 本发明属于一种化学修饰碳糊铋膜电极的制备方法。该方法是将碳粉、修饰剂与疏水性有机溶剂均匀混合研磨成碳糊,然后装入塞有尺寸相当铜螺丝棒的电极管壳,压实制成碳糊电极;其中,修饰剂为人造沸石,疏水性有机溶剂为甲基硅油或石蜡油。在含有铋离子的样品溶液中通过差分脉冲伏安法施加电位进行恒电位沉积,就可以得到化学修饰碳糊铋膜电极;或者将碳糊电极置于加了铋离子的样品测试溶液中,通过差分脉冲伏安法施加电位进行恒电位沉积,进行原位镀铋膜和重金属离子检测。应用本发明可以方便、快速、灵敏地进行水样中重金属离子的检测。

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