专利详情

专利名称	一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法
申请号	CN200710042360.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101074170	公开（授权）日	2007.11.21
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	王根水;董显林
主分类号	C04B41/52(2006.01)	IPC主分类号	C04B41/52(2006.01);C04B35/491(2006.01);H01L21/316(2006.01)
专利有效期	一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法至一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种硅基锆钛酸铅铁电厚膜材料的制备方法，属于信息功能材料与器件领域。本发明方法包括先驱体溶液的配置，即将醋酸铅，异丙醇锆，正丙醇钛先驱材料加人乙二醇甲醚等溶剂中，采用聚乙烯醇和乙酰丙酮控制粘度和稳定度，在干燥气氛下配制成均匀稳定透明的先驱体溶液。然后在硅基衬底上通过甩胶、干燥、退火等过程制备所需厚度的铁电厚膜材料。本发明通过引入缓冲层减缓了由于铁电厚膜材料和硅基衬底的热膨胀系数差异引起的热应力，实现了硅基衬底上铁电厚膜材料的制备。本发明的硅基铁电厚膜材料可以用于硅基的铁电、压电、热释电等微型集成器件的研制。