专利详情

专利名称	采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
申请号	CN201010201505.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101899706A	公开（授权）日	2010.12.01
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽
主分类号	C30B25/18(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/18(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I
专利有效期	采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法至采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义，本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。