专利详情

专利名称	Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法
申请号	CN200710023307.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101070616	公开（授权）日	2007.11.14
申请（专利权）人	中国科学院安徽光学精密机械研究所	发明（设计）人	张庆礼;殷绍唐;丁丽华;刘文鹏;孙敦陆;谷长江
主分类号	C30B29/32(2006.01)	IPC主分类号	C30B29/32(2006.01)
专利有效期	Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法至Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法	法律状态	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
说明书摘要	本发明公开了一种两种Yb掺杂的锗酸盐及其熔体法生长方法，它们的分子式可表为Yb_2xLa_2(1－x)GeO₅、Yb_2xGd_2(1－x)GeO₅(x＝0.0001～1)，可用Yb₂O₃、La₂O₃、Gd₂O₃、GeO₂，或相应的镱、镧、钆、锗的其它化合物进行配料，只要能最终化合为Yb_2xRE_2(1－x)GeO₅(RE＝La，Gd)即可；配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；对于需用籽晶来定向生长的熔体法，籽晶为Yb_2xRE_2(1－x)GeO₅单晶或RE₂GeO₅单晶。Yb_2xGd_2(1－x)GeO₅单晶可用作LD泵浦的超短脉冲激光器、可调谐激光器中的工作物质。