
纵向高场不对称波形离子迁移谱装置
- 申请号:CN200710023322.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号:CN101067616
- 公开(公开)日:2007.11.07
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 纵向高场不对称波形离子迁移谱装置 | ||
申请号 | CN200710023322.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101067616 | 公开(授权)日 | 2007.11.07 |
申请(专利权)人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明(设计)人 | 陈池来;孔德义;林丙涛;朱荣华 |
主分类号 | G01N27/62(2006.01) | IPC主分类号 | G01N27/62(2006.01);H01J49/40(2006.01) |
专利有效期 | 纵向高场不对称波形离子迁移谱装置 至纵向高场不对称波形离子迁移谱装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了纵向高场不对称波形离子迁移谱装置,包括介质阻挡放电离化源、屏蔽电极、检测仪。介质阻挡放电离化源包括阻挡介质,即硼硅玻璃及镀于硼硅玻璃上的离化电极和离化电路,屏蔽电极置有分别平行镀于硼硅玻璃上的离化迁移内屏蔽电极、离化迁移外屏蔽电极和迁移检测屏蔽电极。进气样品通过介质阻挡放电离化源被离化、然后进入离子迁移管被分离、最后到达检测仪被检测到。本发明通过集成高离化率的离化源,通过改变装置结构以缩短离子复合时间,使得到达检测区的离子数大幅度增加,并比较容易地被检测到,提高了装置的灵敏度,另一方面通过使用屏蔽电极消除了介质阻挡放电离化源、离子迁移管、检测仪之间的相互影响,提高了装置的稳定性。 |
交易流程
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专利 -
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