一种构筑亚10纳米间隙及其阵列的方法
- 申请号：CN200710041612.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号：CN101067719
- 公开(公开)日：2007.11.07
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种构筑亚10纳米间隙及其阵列的方法 | ||
| 申请号 | CN200710041612.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101067719 | 公开（授权）日 | 2007.11.07 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙艳;陈鑫;吴杰;戴宁 |
| 主分类号 | G03F7/00(2006.01) | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01) |
| 专利有效期 | 一种构筑亚10纳米间隙及其阵列的方法 至一种构筑亚10纳米间隙及其阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种构筑亚10纳米间隙及其阵列的方法，该方法是利用电子束光刻技术中的邻近效应，将两个图案设计成连续，通过控制电子束的刻蚀能量与图形转移将两个图案的Gap控制在亚10纳米级。本发明的优点是：构筑简单易行，重复性好。 | ||
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