专利详情

专利名称	互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器
申请号	CN200610076009.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101064497	公开（授权）日	2007.10.31
申请（专利权）人	中国科学院电子学研究所	发明（设计）人	杨海钢;崔国平
主分类号	H03F3/345(2006.01)	IPC主分类号	H03F3/345(2006.01);H03F3/347(2006.01);H03K19/0185(2006.01)
专利有效期	互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器至互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器，涉及电流电压转换器技术领域，包括晶体管组成的共源共栅电流镜，其由四个PMOS晶体管组成的共源共栅电流镜和四个NMOS晶体管组成的共源共栅电流镜上下对接而成，交流电流信号从上下电流镜对接处输入，被两个电流镜镜像，输出电压等于输入电流与输出共源共栅结构电阻的乘积。本发明将微弱的pA量级的电流信号转化为mV量级的电压，利用共源共栅电流镜输出阻抗大的特点实现高增益，达到了结构简单和高增益的特点，同时由于没有反馈电阻，不需要考虑稳定性的问题。