专利详情

专利名称	基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列
申请号	CN200610072795.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101055915	公开（授权）日	2007.10.17
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	曾中明;魏红祥;姜丽仙;韩秀峰;彭子龙;詹文山
主分类号	H01L43/08(2006.01)	IPC主分类号	H01L43/08(2006.01);G11C11/16(2006.01);H03K19/18(2006.01)
专利有效期	基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列至基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件，该逻辑元件包括四条输入信号线、一条输出信号线和隧道结单元；每条输入线中流过的电流强度均相同，分别将“0”和“1”分配给它们，利用输入信号A、B、C、D的组合，决定隧道结中磁性层的磁化方向，将通过双势垒磁性隧道结的磁电阻效应的大小作为输出信号；其特征在于所述的隧道结单元是双势垒磁性隧道结单元，包括：下部磁性层、第一隧道势垒层、中间磁性层、第二隧道势垒层和上部磁性层。本发明还涉及一种将上述任意多个磁逻辑元件按照阵列排列，并使逻辑输入信号或读出电流流过磁逻辑元件的磁逻辑元件阵列。本发明的优点在于使逻辑电路小型化及高密度集成化，利于工业化。