专利详情

专利名称	GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器
申请号	CN200710040613.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101055882	公开（授权）日	2007.10.17
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	陆卫;熊大元;李宁;甄红楼;张波;陈平平;李天信;李志锋;陈效双
主分类号	H01L27/144(2006.01)	IPC主分类号	H01L27/144(2006.01);H01L31/111(2006.01)
专利有效期	GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器至GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。