
基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件
- 申请号:CN200610072797.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号:CN101055916
- 公开(公开)日:2007.10.17
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件 | ||
申请号 | CN200610072797.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101055916 | 公开(授权)日 | 2007.10.17 |
申请(专利权)人 | 中国科学院物理研究所 | 发明(设计)人 | 韩秀峰;曾中明;韩宇男;姜丽仙;彭子龙;詹文山 |
主分类号 | H01L43/08(2006.01) | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
专利有效期 | 基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件 至基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件,包括:三条输入信号线、两条输出信号线和磁性多层膜,所述的磁性多层膜环状闭合型,三条输入信号线中每条输入线中流过的电流强度均相同,且均穿过磁性多层膜;或是所述的磁性多层膜为环状闭合型含金属芯的磁性多层膜,其中的两条输入信号线穿过磁性多层膜,每条输入线中流过的电流强度均相同,另一条输入信号线为环状闭合型磁性多层膜 中间的金属芯线。本发明的磁逻辑元件采用了环状闭合型结构的磁性多层膜单元,能有效减小退磁场和形状各向异性能,从而减小磁性自由层的反转场,进而降低逻辑操作所需的电流和功耗;另外也有利于逻辑元件工作性能的稳定和器件寿命的延长。 |
交易流程
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