专利详情

专利名称	钽酸盐的提拉法晶体生长方法
申请号	CN200710022256.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101050548	公开（授权）日	2007.10.10
申请（专利权）人	中国科学院安徽光学精密机械研究所	发明（设计）人	张庆礼;殷绍唐;刘文鹏;孙敦陆;邵淑芳
主分类号	C30B29/30(2006.01)	IPC主分类号	C30B29/30(2006.01);C30B15/00(2006.01)
专利有效期	钽酸盐的提拉法晶体生长方法至钽酸盐的提拉法晶体生长方法	法律状态	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
说明书摘要	本发明涉及钽酸盐的提拉法晶体生长方法，所生长的化合物的分子式可表示为RE_1－xD_xTa_1－yNb_yO₄，RE＝Lu、Gd、Y，D＝Bi、Ce、Eu、Tb，x、y＝0～1。所用原料Ta₂O₅、Nb₂O₅、Lu₂O₃、Gd₂O₃、Y₂O₃、Bi₂O₃、Eu₂O₃、Tb₄O₇、CeO₂可用相应的钽、铌、镥、钆、铌、钇、铋、铕、铽的其他化合物来进行配制，只要通过化合反应能最终形成RE_1－xD_xTa_1－yNb_yO₄化合物即可；配好的原料进行充分混合后，用模具压制成形(通常为圆盘形状)，在750～1300℃下烧结10～24小时，成为RE_1－xD_xTa_1－yNb_yO₄晶体生长的初始原料，或者压制成形的原料不经烧结而直接成为晶体生长的初始原料。本发明在大量的晶体生长实验基础上，获得了Nb⁵⁺、Bi³⁺、Tb³⁺或Eu³⁺掺杂的稀土钽酸盐RETaO₄及其纯基质单晶的提拉法生长方法，可获得Φ10mm以上的大尺寸单晶，可用于现代高能物理、核医学等领域。