一种石英玻璃上制作纳米级沟道的方法
- 申请号：CN200710036417.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN101037185
- 公开(公开)日：2007.09.19
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种石英玻璃上制作纳米级沟道的方法 | ||
| 申请号 | CN200710036417.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101037185 | 公开（授权）日 | 2007.09.19 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 金庆辉;刘菁;赵建龙 |
| 主分类号 | B81C1/00(2006.01) | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01);C03C15/00(2006.01);B01J19/00(2006.01);B01L3/00(2006.01);G01N35/00(2006.01) |
| 专利有效期 | 一种石英玻璃上制作纳米级沟道的方法 至一种石英玻璃上制作纳米级沟道的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种石英玻璃上纳米沟道的制作方法。其特征在于制作的关键技术包括光刻、湿法腐蚀和键合三个关键步骤，其中湿法腐蚀液配置，这是MEMS加工技术中的关键之一，它直接影响纳米沟道的图形结构。本发明采用的基底材料为石英玻璃，工艺简单不需要反应离子刻蚀等设备，根据配制的腐蚀液调节腐蚀时间和温度可精确控制纳米沟道的深度误差在±1nm左右。 | ||
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