专利详情

专利名称	用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚
申请号	CN200910076877.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101787560A	公开（授权）日	2010.07.28
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	胡章贵;张国春;张辉;郑丽丽
主分类号	C30B15/10(2006.01)I	IPC主分类号	C30B15/10(2006.01)I
专利有效期	用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚至用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于熔体提拉法生长晶体的调节气液温差的异形坩埚为铱金坩埚；其特征在于，还包括：垂向固定于所述铱金坩埚内底面中心处的铱金支撑立柱；固定于所述铱金支撑立柱上端呈水平放置的铱金片，所述铱金片边缘与铱金坩埚边缘保留空隙；所述铱金片为平面型、凹面型或凸面型；铱金坩埚中安装的铱金片起到热源的作用，有效改变了生长界面处的气液温差，加强了质量输运和热量传输，生长出的晶体无包裹体、生长条纹等缺陷，可大幅度提高晶体利用率。