专利详情

专利名称	具有高屏蔽特性的低电阻超导接头的制作方法
申请号	CN201010123276.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101794655A	公开（授权）日	2010.08.04
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	王秋良;胡新宁;宋守森;丁立健;严陆光
主分类号	H01F6/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01F6/06(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I
专利有效期	具有高屏蔽特性的低电阻超导接头的制作方法至具有高屏蔽特性的低电阻超导接头的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种具有高屏蔽特性的低电阻超导接头，将NbTi/Cu超导线(1)端部的外表面铜(2)腐蚀后形成NbTi超导丝(3)。在Nb/NbTi/Cu多层复合棒(4)的铌层(5)的每个通孔(8)内分别插入相同数目的NbTi超导丝(3)，在Nb/NbTi/Cu多层复合棒(4)外施加一定的压力，将Nb/NbTi/Cu多层复合棒(4)和NbTi超导丝(3)通过压力结合在一起形成接头。将所述的接头插入到YBCO管(9)内，然后向YBCO管(9)内充入填满熔融的伍德合金焊料(10)。制成高屏蔽低电阻的超导接头。