专利详情

专利名称	浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法
申请号	CN200910077725.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101807521A	公开（授权）日	2010.08.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;刘璟;王琴;龙世兵
主分类号	H01L21/203(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/203(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法至浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，该方法包括：采用溅射工艺将多种靶材共溅射在隧穿介质层上，淀积生长俘获层介质；在溅射过程中将其他靶材掩蔽，单独溅射某一种靶材，在俘获层中形成纳米晶材料过剩的内嵌纳米晶薄层；形成内嵌纳米晶薄层后，恢复原工艺条件继续生长俘获层材料；生长完毕，热处理形成纳米晶与俘获层堆叠的复合俘获层结构。利用本发明，器件的加工工艺与传统CMOS工艺兼容，极大的简化工艺制程，降低制作成本，为器件走向实际应用打下基础。