专利详情

专利名称	一种与锑化钴热电元件匹配的合金电极及一步法连接工艺
申请号	CN200710037778.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101022149	公开（授权）日	2007.08.22
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈立东;赵德刚;李小亚;赵雪盈;周燕飞;柏胜强
主分类号	H01L35/20(2006.01)	IPC主分类号	H01L35/20(2006.01);H01L35/08(2006.01);H01L35/34(2006.01)
专利有效期	一种与锑化钴热电元件匹配的合金电极及一步法连接工艺至一种与锑化钴热电元件匹配的合金电极及一步法连接工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及与锑化钴基热电材料相匹配的合金电极(导流片)及其锑化钴基热电元件的一步法连接工艺。其特征在于所述的合金电极为Mo－Cu系列合金，优点在于可以自由设计相应的热膨胀系数(CTE)，达到与热电材料很好的热匹配。采用的电极材料为厚度0.5－3mm的钼铜合金片。其制备特征是采用一步法烧结连接而成，钼铜合金电极材料与锑化钴热电材料通过采用粒径在30－75μm的金属Ti的过渡层利用放电等离子烧结(SPS)连接而成。由于钼铜合金电极电导率高，且热膨胀系数与锑化钴基热电材料非常接近，使得界面结合非常稳定，且接合面无明显的电阻跃迁，制备工艺简单，成本也较单一Mo电极低。