专利详情

专利名称	一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法
申请号	CN200910077679.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101800287A	公开（授权）日	2010.08.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法至一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶；步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻，得到栅介质图形；步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜；步骤4、剥离得到栅介质图形，再次进行光刻得到源电极图形、漏电极图形和栅电极图形；步骤5、电子束蒸发源、漏和栅的电极金属，剥离得到电极图形；步骤6、蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。利用本发明得到的平面结构有机场效应晶体管，减少了工艺流程提高的器件的集成度。